世界のGaN HEMTエピタキシャルウェハ市場：製品別・地域別・企業別の成長動向2026-2032
GaN HEMTエピタキシャルウェハ市場概要
GaN HEMTエピタキシャルウェハとは、窒化ガリウム（GaN）を基盤材料とし、高電子移動度トランジスタ（HEMT）構造を形成するために、AlGaN/GaNなどの化合物半導体層をMOCVDやMBEなどのエピタキシャル成長技術によって精密に積層した半導体基板であります。GaN HEMTエピタキシャルウェハは、高い電子移動度、高耐圧、高周波特性および優れた耐熱性を備えており、5G基地局、衛星通信、レーダー装置、電気自動車用パワーデバイス、高効率電源などの中核材料として使用されます。
QYResearchが発表した新たな市場調査レポート「GaN HEMTエピタキシャルウェハ―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2026～2032」 によると、世界のGaN HEMTエピタキシャルウェハ市場規模は2024年の約245百万米ドルから2025年の288百万米ドルへと順調に拡大すると見込まれ、予測期間中は年平均成長率（CAGR）15.4%で成長し、2031年には680百万米ドルに達すると予測されています。
図. グローバルGaN HEMTエピタキシャルウェハ市場規模（百万米ドル）、2024-2031年
上記データはQYResearchのレポートに基づいています： GaN HEMTエピタキシャルウェハ―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2025～2031（2025年発行）。
市場ドライバー
① 高周波・高出力通信需要の拡大
5Gおよびミリ波通信、衛星通信、レーダーシステムの普及により、より高い周波数帯と高出力を処理できる半導体が必要とされます。このため、優れた電子移動度と高耐圧特性を持つGaN HEMTエピタキシャルウェハの需要が急速に拡大しています。
② 電動車および充電インフラの成長
電気自動車や急速充電システムでは、高効率かつ小型のパワー半導体が求められます。GaN HEMTエピタキシャルウェハは電力損失を低減しながら高電圧動作が可能であるため、車載電源および充電装置分野で採用が進んでいます。
③ データセンターの省電力化ニーズ
AIやクラウドの普及によりデータセンターの電力消費が増大しています。GaN HEMTエピタキシャルウェハを用いた電源デバイスは高周波スイッチングによる高効率化が可能であり、消費電力削減の鍵となっています。
④ 防衛・宇宙用途での採用
レーダー、電子戦、衛星通信などでは高信頼性かつ高出力の半導体が不可欠です。過酷な環境でも安定動作が可能なGaN HEMTエピタキシャルウェハは、防衛および宇宙分野で重要な材料となっています。
⑤ 半導体の高性能化トレンド
電子機器の小型化と高性能化が進む中で、より高い電力密度と高速動作が求められます。これらの要件に適合するGaN HEMTエピタキシャルウェハは、次世代半導体の基盤材料として市場成長を支えています。
発展機会
① 6Gおよび次世代通信への展開
将来の6G通信やテラヘルツ帯通信では、極めて高い周波数応答が必要になります。GaN HEMTエピタキシャルウェハはこの分野に適しており、次世代通信インフラの拡大とともに市場が拡大すると期待されます。
② シリコン基板GaNの普及
GaN-on-Si型のGaN HEMTエピタキシャルウェハが普及すれば、大口径化とコスト低減が可能になり、民生および産業用途への採用が加速します。
③ パワー半導体分野での拡大
今後はインバータ、電源IC、車載電力制御などの用途において、GaN HEMTエピタキシャルウェハの採用が進み、市場領域が大きく広がると見込まれます。
④ 高品質エピ成長技術の進歩
結晶欠陥の低減や応力制御技術の進展により、より高信頼性のGaN HEMTエピタキシャルウェハが実現し、高付加価値製品の展開が可能になります。
⑤ 半導体産業への戦略投資
各国が先端半導体の国産化を進める中で、GaN材料も戦略的に重要視されており、GaN HEMTエピタキシャルウェハの生産能力と市場規模の拡大が見込まれます。
発展阻害要因
① 製造コストの高さ
GaN HEMTエピタキシャルウェハは高度なMOCVD装置と高純度原料を必要とするため、製造コストが高く、大量普及の障壁となります。
② 結晶欠陥の問題
GaNと基板材料との格子不整合により転位欠陥が発生しやすく、デバイスの信頼性と歩留まりを低下させます。
③ SiCとの競合
高耐圧パワー半導体分野ではSiCが先行しており、GaN HEMTエピタキシャルウェハは市場獲得において激しい競争に直面しています。
④ 大口径化の技術的制約
200mm以上のGaN HEMTエピタキシャルウェハの量産は技術的に難しく、生産性向上の妨げとなっています。
⑤ 人材および設備の不足
GaNエピ成長には高度な専門技術が必要であり、熟練技術者と専用装置の不足が産業拡大の制約要因となっています。
本記事は、QYResearch発行の「GaN HEMTエピタキシャルウェハ―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2026～2032」を基に作成しています。
【レポートの詳細内容・無料サンプルお申込みはこちら】
https://www.qyresearch.co.jp/reports/1624421/gan-hemt-epitaxial-wafer
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