CMOSイメージセンサーの世界市場調査レポート2026

CMOSイメージセンサー市場概要

CMOSイメージセンサーとは、相補型金属酸化膜半導体（CMOS：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）技術を用いて光情報を電気信号へ変換する半導体撮像素子であり、各画素に増幅回路や信号処理回路を集積できる点を特徴とします。従来のCCDと比較して低消費電力、高速読み出し、小型・高集積化に優れており、スマートフォン、デジタルカメラ、車載カメラ、監視システム、医療用画像機器など幅広い分野で中核的な役割を果たしています。近年では裏面照射型（BSI）や積層型構造の進展により、高感度・高解像度・高速化が同時に実現され、CMOSイメージセンサーは映像情報社会を支える基盤デバイスとして重要性を一段と高めています。

QYResearchが発表した新たな市場調査レポート「CMOSイメージセンサー―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2026～2032」 によると、世界のCMOSイメージセンサー市場規模は2025年の約22660百万米ドルから2026年の24670百万米ドルへと順調に拡大すると見込まれ、予測期間中は年平均成長率（CAGR）9.9%で成長し、2032年には43380百万米ドルに達すると予測されています。

図. グローバルCMOSイメージセンサー市場規模（百万米ドル）、2025-2032年

上記データはQYResearchのレポートに基づいています： CMOSイメージセンサー、全体の売上と需要予測、2026～2032（2026年発行）。

市場ドライバー

1.高機能スマートフォン需要の拡大

スマートフォン市場では高画質撮影機能が製品差別化の中核となっており、多眼化や高画素化が急速に進展しています。この流れにより、高性能なCMOSイメージセンサーへの需要が継続的に拡大しており、暗所撮影性能や高速オートフォーカス機能を実現する先端センサーの採用が加速しています。

2.車載カメラ搭載数の増加

自動運転支援システム（ADAS）の普及に伴い、車両1台あたりに搭載されるカメラ数が増加しています。周囲監視、衝突回避、車線認識などにおいてCMOSイメージセンサーは不可欠であり、高耐久・広ダイナミックレンジ特性を備えた製品への需要が市場成長を強力に後押ししています。

3.監視・セキュリティ分野の拡大

都市化の進展や安全意識の高まりにより、監視カメラ市場が世界的に拡大しています。高解像度かつ低照度性能に優れたCMOSイメージセンサーは、24時間監視用途に適しており、公共インフラや商業施設での導入が市場成長を支えています。

4.医療・産業用途での採用増加

内視鏡、顕微鏡、外観検査装置などの分野では、高精細かつリアルタイム性が求められます。小型化と高画質を両立できるCMOSイメージセンサーは、医療および産業用途において採用が進み、市場需要を安定的に拡大させています。

5.IoT・エッジデバイスの普及

IoTやスマートデバイスの普及により、画像情報を活用したセンシングニーズが急増しています。低消費電力で常時稼働が可能なCMOSイメージセンサーは、エッジAIとの親和性が高く、新たな用途創出を通じて市場成長を促進しています。

発展機会

1.高度化する技術革新への対応

積層型やグローバルシャッターなどの先端技術は、CMOSイメージセンサーの性能を飛躍的に向上させています。これにより、高速撮影や歪みのない画像取得が可能となり、産業・車載・AR/VR分野など新市場での応用機会が拡大しています。

2.AI・画像認識との融合

AIによる画像解析需要の高まりにより、演算機能を内蔵または近接配置するCMOSイメージセンサーの開発が進んでいます。これにより、リアルタイム処理や省電力化が可能となり、スマートシステム分野での成長余地が広がっています。

3.高付加価値センサーへの需要

単なる撮像機能にとどまらず、HDR、深度測定、スペクトル解析などの付加機能を持つCMOSイメージセンサーへの需要が拡大しています。差別化された高付加価値製品は、メーカーにとって新たな収益機会となっています。

4.新興国市場での電子機器普及

新興国におけるスマートフォンや監視システムの普及は、CMOSイメージセンサー市場の裾野を拡大しています。価格性能比に優れた製品の需要増加は、市場全体の数量成長を後押ししています。

5.次世代通信技術との連動

5Gや将来の6G通信の普及により、高精細映像のリアルタイム伝送が可能となります。これに伴い、高解像度かつ高速読み出し対応のCMOSイメージセンサーの需要が拡大し、新たなアプリケーション創出が期待されています。

発展阻害要因

1.開発コストおよび製造投資の増大

高性能化が進むCMOSイメージセンサーでは、微細化や積層構造に対応した製造設備投資が不可欠となっています。これにより研究開発コストが増大し、新規参入企業にとって参入障壁が高まっています。

2.技術競争の激化

市場では少数の大手メーカーが高度な技術力を有しており、競争が非常に激しい状況です。このため、差別化が困難となり、価格競争の激化が収益性を圧迫する要因となっています。

3.供給網リスクの存在

半導体製造は特定地域への依存度が高く、地政学リスクや自然災害の影響を受けやすい構造です。CMOSイメージセンサーの安定供給が阻害される可能性は、市場拡大の制約要因となります。

4.高度な設計人材の不足

先端CMOSイメージセンサーの開発には、回路設計、光学、材料工学など複合的な専門知識が求められます。しかし、高度人材の不足は開発スピードを抑制する要因となっています。

5. 環境規制・品質要求の強化

環境負荷低減や製品信頼性に対する規制・要求が年々厳格化しています。これに対応するための追加コストや設計制約は、CMOSイメージセンサーの開発・量産における課題として市場成長を抑制する要因となります。

本記事は、QYResearch発行の「CMOSイメージセンサー―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2026～2032」を基に作成しています。

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https://www.qyresearch.co.jp/reports/1611261/cmos-image-sensor

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